مقاله بررسی تاثیر عملیات حرارتی و ضخامت لایه فوق نازک کاتالیستی بر جزیره بندی بسترهای رشد نانو وایر

مقاله بررسی تاثیر عملیات حرارتی و ضخامت لایه فوق نازک کاتالیستی بر جزیره بندی بسترهای رشد نانو وایرهای اکسیدی دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی تاثیر عملیات حرارتی و ضخامت لایه فوق نازک کاتالیستی بر جزیره بندی بسترهای رشد نانو وایرهای اکسیدی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تاثیر عملیات حرارتی و ضخامت لایه فوق نازک کاتالیستی بر جزیره بندی بسترهای رشد نانو وایرهای اکسیدی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی تاثیر عملیات حرارتی و ضخامت لایه فوق نازک کاتالیستی بر جزیره بندی بسترهای رشد نانو وایرهای اکسیدی :

سال انتشار: 1387

محل انتشار: نهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی

تعداد صفحات: 10

چکیده:

ساخت نانووایرهای اکسیدی نیمه هادی، به روش تبخیر حرارتی مبتنی بر مکانیزم بخار – مایع – جامد، نیازمند بستر مناسب جوانه زنی و رشد تک جهته بر روی زیر لایه است. این بستر رشد که غالباً جزایر نانومتری از یک کاتالیست فلزی نظیر طلا است به روش های مختلف بر سطح زیر لایه ی رشد، ایجاد می گردد.در این تحقیق لایه کاتالیستی طلا با دو ضخامت 7 و 14 نانومتر با استفاده از روش تبخیر حرارتی، بر روی زیر لایه سیلیکونی لایه نشانی گردید. زیر لایه های حاوی لایه ی طلا با ضخامت های مختلف، در محیط گاز احیاء کننده در دمای C650 پخت شدند تا بستر جوانه زنی و رشد نانووایرهای اکسیدی حاصل آید.نتایج حاصل از آنالیز میکروسکوپ های نیروی اتمی (AFM) و الکترون روبشی (SEM) از زیرلایه های مذکور نشان داد که با احیاء سطح زیر لایه ها، زبری سطح نسبت به حالت احیاء نشده، اندکی افزایش می یابد و شکل گیری جزایر کاتالیستی بر روی سطح، منظم تر و توزیع قطری آنها یکنواخت تر می شود. همچنین قطر جزایر طلا در لایه ی کاتالیستی با ضخامت 7 نانومتر کوچکتر از نصف قطر جزایر کاتالیستی حاصل از لایه ی 14 نانومتری می باشد و در نتیجه بسیار مناسب تر برای دستیابی به ساختارهای شبه یک بُعدی با قطر زیر 100 نانو متر خواهند بود